Тип памяти: DDR3, CAS Latency (CL): 11, RAS to CAS Delay (tRCD): 11, Row Precharge Delay (tRP): 11, Activate to Precharge Delay (tRAS): 27, Общий объём памяти, Гб: 8, Тактовая частота: 1600 МГц, Форм-фактор: DIMM, Поддержка ECC: нет, Буферизованная (Registered): нет, Пропускная способность: 12800 Мб/с, Низкопрофильная (Low Profile): нет, Поддержка XMP: нет, Напряжение питания: 1.5 В, Назначение: для настольных ПК, Количество ранков: 2, Радиатор.